高导热氮化铝陶瓷基板 电子封装绝缘散热片
Category:
electron/Electronic materials and components/Electronic ceramic materials
Model:
STQY-TC-DH180
Brand:
燊桐启元
热导率:
170-230 W/(m·K)
体积电阻率:
≥10^14 Ω·cm
介电常数:
8-9 (1 MHz)
密度:
3.3 g/cm³
抗弯强度:
300-400 MPa
工作温度:
-55℃ ~ +1500℃
颜色:
灰白色
主要成分:
AlN
Retail Price
10,000,000.00USD
重量
kg
- Product Description
-
热导率 170-230 W/(m·K)
体积电阻率 ≥10^14 Ω·cm
介电常数 8-9 (1 MHz)
密度 3.3 g/cm³
抗弯强度 300-400 MPa
工作温度 -55℃ ~ +1500℃
颜色 灰白色
主要成分 AlN
Description :
氮化铝陶瓷是一种以氮化铝为主要成分的高性能先进陶瓷材料，主要解决大功率电子元器件在高密度集成下的散热与绝缘难题。它具有极高的热导率，远超传统的氧化铝陶瓷，接近金属铝的水平，同时保持优异的电绝缘性。典型工况包括大功率LED照明、激光二极管、半导体功率模块以及高频微波器件的基板和封装外壳。这种材料能够有效降低结温，提高器件的工作稳定性和使用寿命，是现代电子工业中不可或缺的关键基础材料。
氮化铝陶瓷的典型热导率在170-230 W/(m·K)之间，具体数值取决于制备工艺和纯度。其体积电阻率通常大于10^14 Ω·cm，介电常数在8-9左右，介电损耗低。材料密度约为3.3 g/cm³，抗弯强度可达300-400 MPa。执行标准通常参考GB/T或IPC相关电子陶瓷材料规范。表面光洁度可根据加工要求达到镜面或特定粗糙度，尺寸精度可控制在微米级。常见颜色为灰白色或浅灰色，无气孔、无裂纹，结构致密，具有良好的高温稳定性，可在高温环境下保持物理化学性能稳定。
选型时需重点考虑热导率与成本的平衡，以及对介电性能的具体要求。适用于需要高效散热且必须电绝缘的场景，如IGBT模块、CPU/GPU散热基板。不适用于对成本极度敏感且散热要求不高的普通消费电子，此时氧化铝陶瓷更具性价比。与氧化铍陶瓷相比，氮化铝无毒环保，符合RoHS指令；与金属基板相比，它具有更好的高频特性和绝缘可靠性。采购员应明确应用功率密度和工作频率，以确定合适的厚度与面积规格，避免过度设计或性能不足。
氮化铝陶瓷脆性较大，安装时需避免机械冲击和应力集中，建议使用柔性导热界面材料进行贴合。典型使用周期长，但在高温高湿环境下需注意表面 metallization（金属化）层的结合力维护。日常维护主要是保持表面清洁，防止灰尘油污影响散热效率。常见故障包括因热膨胀系数不匹配导致的开裂，或金属化层脱落引起的接触不良。加工切割需使用金刚石工具，严禁剧烈温差变化，以防止热震损伤。正确安装与维护可确保其在严苛工况下长期稳定运行。
AfterSalesService :
Key words:
